IBASSO　Kunlun -クンルン- GaN FETヘッドホンアンプ　iBKunlun

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【商品解説】
・より高速な電子速度と低い導通損失を実現窒化ガリウムトランジスタ(GaN FET)採用
業界でも稀有な『窒化ガリウムトランジスタ(GaN FET)』をデスクトップヘッドホンアンプに応用することで、より高い電子速度と低い導通損失を実現。
また、より高速なスイッチング速度を可能にするために増幅回路に応用することで、過渡応答、ダイナミクス性能、制御性が向上しました。
・卓越した精度と制御力0.12Ω低出力インピーダンスを実現
窒化ガリウムは『内部抵抗』が極めて低く、より高い電流駆動力を誇るため、わずか『0.12Ω』という低出力インピーダンスを実現。
豊かなサウンドレイヤーとダイナミックなリスニング体験を叶えた。
・40個の高性能トランジスタを搭載圧倒的な性能を実現する強力な回路
出力段に8個のパワートランジスタを採用し、ヘッドホンアンプの駆動段には合計32個（16×2構成）のトランジスタが構築する『ディスクリートアンプ回路技術』を採用。
圧倒的な電流出力性能を誇り、従来のオペアンプ方式と比較すると、電流出力容量は数倍に増加。
余裕のあるダイナミクスと、細部まで明瞭な解像度により、壮大かつ繊細なサウンドをお楽しめる。
・圧倒的パワーでユーザーのニーズを叶える最大出力7400mW+7400mW@32Ω
バランス出力モード時はチャンネルあたり『最大7400mW@32Ω』を実現。
これにより、フルサイズヘッドホンや高い駆動性能を要求する平面駆動ヘッドホンにも対応し、ユーザーは力強いダイナミックレンジと、立体的なサウンドステージを体感することが可能。
・繊細で美しいアナログサウンドへの回帰リニア電源アーキテクチャ
リニアトランス（電源）＋レギュレータを組み合わせたアーキテクチャを採用。
これにより、より滑らかな電力供給と低ノイズフロアを実現し、アナログ回路全体の安定性と静音性を保ちます。
音楽の繊細な質感やディテールを超低歪みで引き出し、より本格的なアナログテイストをお楽しめる。
・高品位なチューニング技術精密な制御と自然なボリューム操作を
Texas Instruments製のハイエンドオーディオ向けに設計された『高性能4チャンネ
ルオーディオボリュームコントローラ』を採用し。
コントローラ内部の高性能オペアンプ段は、バッファリング無しで600Ω負荷駆動を有し、音量調整をより直線的で精密な動作で実現。
『3段階ポテンショメータ』は、Gain制御スイッチとして機能。
感度の異なるヘッドホンに対応しながら、ノイズフロアと歪みを効果的に抑制することで、純粋で自然なサウンドを保持することを叶えた。
・製品仕様
サイズ：222 x 245 x 65mm
重量：約2.4kg
電源：AC (100-240V, 50/60Hz、 400mA)
消費電力：8W
入力系統：XLR入力端子 / RCA入力端子 / 4.4mmバランス入力端子
出力系統：6.35mmシングルエンド出力端子/4ピンXLRバランス出力端子/4.4mmバランス出力端子
Gain機能(3段階ポテンショメータ)：I(Low) / II(Med) / III(High)

【スペック】
●型式：iBKunlun（iBKunlun）
●JANコード：6971585541995

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